Tesadüfen bulundu: Akıllı telefonlar ve bilgisayarlar artık daha hızlı olabilir!
MIT’de nükleer reaktörlerin güvenliği ve dayanıklılığını artırmak için çalışan bir araştırma ekibi, beklenmedik bir keşfe imza attı. Asıl amaçları reaktörlerdeki korozyon ve çatlakları incelemekti. Ancak kullanılan yöntem, mikroelektronik dünyasında devrim yaratabilecek yeni bir kapı araladı.
Çalışma kapsamında, nükleer reaktör içindeki yoğun radyasyonu taklit etmek için güçlü ve odaklanmış bir X-ışını demeti kullanıldı. Deneylerde nikel alaşımları üzerinde çalışan araştırmacılar, bu ışınların malzemenin kristal yapısındaki gerilimi hassas biçimde "ayarlayabildiğini" fark etti.
Bu bulgu, yarı iletken üretiminde kullanılan ve performansı artırmak için malzemelere gerilim kazandırmayı hedefleyen "strain engineering" yöntemine yeni bir alternatif sunuyor. MIT ekibine göre X-ışınları sayesinde mikroçiplerin üretim sürecinde gerilim ayarlamaları yapılabilecek.
Araştırmanın kıdemli yazarı Ericmoore Jossou, "Amacımız bu değildi, ama tek deneyle iki farklı sonuca ulaştık" dedi.
Ekip ayrıca nükleer ortam simülasyonunda malzeme hasarını 3 boyutlu ve gerçek zamanlı olarak takip etmeyi de başardı. Uzun süreli X-ışını uygulaması, kristal yapının iç gerilimini gevşeterek daha doğru bir gözlem yapılmasını sağladı.
Kaynak: MIT News, ScienceDirect